Gunn diyot
Gunn diyot, Aktarılan elektron cihazı (TED) olarak da bilinen, yüksek frekanslı elektronikte kullanılan negatif diferansiyel dirençli, iki terminalli yarı iletken bir elektronik bileşen olan bir diyot türüdür.
Fizikçi J. B. Gunn tarafından 1962 yılında keşfedilen Gunn etkisi'ne dayanmaktadır. Başlıca kullanım alanları, radar hız tabancaları, mikrodalga röle veri bağlantısı vericileri ve otomatik kapı açıcılar gibi uygulamalarda mikrodalgalar üretmek için elektronik osilatörlerdir.[1] Diğer diyotlar gibi PN bağlantısı yerine, n-tipi yarı iletken malzeme ile galyum arsenit "GaAs" veya indiyum fosfit "InP" kullanılarak oluşturulmuştur.
Bu diyotlar, PN diyotlar gibi doğrultma yapmak yerine osilatör olarak kullanılmaktadır. Çalışma frekansı 100 GHz gibi yüksek değerlere ulaşabildiği için radar, telekominikasyon gibi sistemlerin yanında, mikrodalga osilatör devrelerinde de kullanılmaktadır.
Kaynakça
[değiştir | kaynağı değiştir]- ^ Sze, S. M.; Ng, Kwok Kwok (2007). Physics of semiconductor devices. Third edition. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience. ISBN 978-0-471-14323-9.
 | Elektronik ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz. |
